Síntesis y caracterización de la heterounión de la interfaz In (O; OH) S / AgInS2
| dc.contributor.author | vallejo, william | spa |
| dc.contributor.author | Díaz Uribe, Carlos | spa |
| dc.contributor.author | Arredondo, Carlos Andrés | spa |
| dc.contributor.author | Luna, Mario Alberto | spa |
| dc.contributor.author | Hernández, Johann | spa |
| dc.contributor.author | Gordillo, Gerardo | spa |
| dc.date | 2014-12-01 | |
| dc.date.accessioned | 2019-09-19T21:44:48Z | |
| dc.date.available | 2019-09-19T21:44:48Z | |
| dc.description | En este trabajo, presentamos algunos estudios complementarios para las películas delgadas In (O, OH) S depositadas en películas delgadas AgInS2 para fabricar un nuevo sistema de capa absorbente / capa buffer que se utilizará en tándem y / o en células solares de una unión. Como se demostró en trabajos previos llevados a cabo para nosotros, las capas de AgInS2 se cultivaron por co-evaporación a partir de precursores de metal en un proceso de dos pasos; y en (O, OH) S las películas delgadas se depositaron mediante deposición de baño químico. Las mediciones de difracción de rayos X indicaron que la película delgada de AgInS2 crecía con estructura de calcopirita; e In (O, OH) películas S crecidas con estructura policristalina. Las películas delgadas AgInS2 presentaron conductividad de tipo p, y desde las mediciones de tranductancia se encontró un alto coeficiente de absorción (mayor de 104 cm-1) y un intervalo de banda de energía de 1.95 eV ; y en (O, OH), las películas delgadas S presentaron Egabout 3.01 eV, el análisis morfológico indicó que bajo estas condiciones de síntesis, las películas delgadas en (O, OH) S recubrieron completamente la capa absorbente AgInS2. Finalmente, en este trabajo, se utilizó la ecuación de Avrami-Erofeev para estudiar la velocidad de crecimiento de la película fina In (O, OH) S sobre el sustrato AgInS2. Los resultados indican que el sistema desarrollado se puede usar en células solares de unión única y unión múltiple. | es-ES |
| dc.description | In this work,we presented some complementary studies for In(O,OH)S thin films deposited on AgInS2 thin films to fabricate a new system absorbent-layer/buffer-layer to be used in tandem and/or in one-junction solar cells. As showed in previous works carried out for us, AgInS2layers were grown by co-evaporation from metal precursors in a two-step process; and In(O,OH)S thin films were deposited by Chemical Bath deposition.X-ray diffraction measurements indicated that AgInS2 thin film grown with chalcopyrite structure; and In(O,OH)S films grown with polycrystalline structure.The AgInS2thin films presented p-type conductivity, andfrom tranductance measurements it was found a high absorption coefficient (greater than 104 cm−1) and an energy band gap of 1.95 eV; and In(O,OH),S thin films presented Egabout 3.01 eV;morphological analysis indicated that under this synthesis conditions,In(O,OH)S thin films coated completely the AgInS2absorber layer. Finally, in this work, the Avrami-Erofeev equation was used to study In(O,OH)S thin film growth rate on AgInS2 substrate. Results indicate that the developed system can be used in single-junction and multiple junction solar cells. | en-US |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.identifier | https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/9240 | |
| dc.identifier | 10.14483/22487638.9240 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11349/20848 | |
| dc.language | eng | |
| dc.publisher | Universidad Distrital Francisco José de Caldas. Colombia | es-ES |
| dc.relation | https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/9240/10492 | |
| dc.rights | Derechos de autor 2015 Revista Tecnura | es-ES |
| dc.source | Tecnura Journal; Vol 18 (2014): Special Edition Doctorate; 30-40 | en-US |
| dc.source | Tecnura; Vol. 18 (2014): Special Edition Doctorate; 30-40 | es-ES |
| dc.source | 2248-7638 | |
| dc.source | 0123-921X | |
| dc.subject | Absorber layerthin film | en-US |
| dc.subject | AgInS2 | en-US |
| dc.subject | buffer layer | en-US |
| dc.subject | In(O | en-US |
| dc.subject | OH)S | en-US |
| dc.subject | Optic window | en-US |
| dc.subject | solar cells. | en-US |
| dc.title | Síntesis y caracterización de la heterounión de la interfaz In (O; OH) S / AgInS2 | es-ES |
| dc.title | Synthesis and characterization of In(O;OH)S/AgInS2 interface heterojunction | en-US |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/article | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | |
| dc.type.coar | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |