Aspectos del desarrollo de heteroestructuras semioconductoras usadas ene electrónica de alta frecuencia y optoelectrónica

dc.contributor.authorAya Baquero, Hugospa
dc.date1999-11-30
dc.date.accessioned2019-09-19T21:37:56Z
dc.date.available2019-09-19T21:37:56Z
dc.descriptionMuch of our understanding of electron transport in solids is based on the semiclassical picture that views electrons as particles obeying Newtonian mechanics. Quantum effects such as energy quantization, tunneling and optical transitions in solids cannot be understood within this conceptual framework. Quantum effects are present in devices with dimensions smaller than 100 nanometers. With advances in preparation techniques of ultrathin heterolayers is posible create abrupt potencial variations like quantum barriers and wells, along the direction perpendicular to the layer plane. If the caracteristic width of wells is comparable to the wavelenght of the electrons, a series of quantum states will be formed in the wells. The control and modulation of transitions between these electronic states allow the creation of all kinds of optoelectronic devicesen-US
dc.descriptionLa mayor parte de nuestra comprensión del transporte de electrones en los sólidos está basada en una concepción semiclásica, según la cual los electrones obedecen a las leyes de Newton. Los efectos cuánticos como la cuantización de los niveles de energía, el efecto túnel y las transiciones ópticas, no pueden ser explicados dentro de este marco conceptual. Los efectos cuánticos están presentes en dispositivos de dimensiones menores a 100 nanómetros. Con el desarrollo de nuevas técnicas de preparación de películas ultradelgadas es posible la obtención de variaciones abruptas de potenciales, como barreras y pozos de potencial en la dirección perpendicular al plano de la capa. Sí el grosor del pozo de potencial es comparable con la longitud de onda del electrón, se forman una serie de estados energéticos cuantizados dentro del pozo. El control y modulación de las diferentes transiciones electrónicas entre estos estados da origen a todo tipo de dispositivos optoelectrónicos.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.formattext/html
dc.identifierhttps://revistas.udistrital.edu.co/index.php/reving/article/view/2202
dc.identifier10.14483/23448393.2202
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11349/19526
dc.languagespa
dc.publisherUniversidad Distrital Francisco José de Caldasen-US
dc.relationhttps://revistas.udistrital.edu.co/index.php/reving/article/view/2202/2962
dc.relationhttps://revistas.udistrital.edu.co/index.php/reving/article/view/2202/2963
dc.sourceIngeniería; Vol 5 No 2 (2000): July - December; 108-113en-US
dc.sourceIngeniería; Vol. 5 Núm. 2 (2000): Julio - Diciembre; 108-113es-ES
dc.source2344-8393
dc.source0121-750X
dc.subjectHeterostructureen-US
dc.subjectheterostructure laseren-US
dc.subjectquantum wellen-US
dc.subjectsuperlatticesen-US
dc.subjectoptical transitions.en-US
dc.subjectHeteroestructuraes-ES
dc.subjectláser de heteroestructuraes-ES
dc.subjectpozo cuánticoes-ES
dc.subjectsuperredeses-ES
dc.subjecttransiciones ópticases-ES
dc.subjectHeteroestructuraes-ES
dc.subjectláser de heteroestructuraes-ES
dc.subjectpozo cuánticoes-ES
dc.subjectsuperredeses-ES
dc.subjecttransiciones ópticas.es-ES
dc.titleAspectos del desarrollo de heteroestructuras semioconductoras usadas ene electrónica de alta frecuencia y optoelectrónicaes-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501

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