INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA

dc.contributor.authorGachevski, Valeryspa
dc.date2004-12-01
dc.date.accessioned2019-09-19T21:51:15Z
dc.date.available2019-09-19T21:51:15Z
dc.descriptionLas investigaciones de la influencia de las operaciones de los procesos tecnológicos de fabricación de semiconductores en las tensiones elásticas de material y en los defectos puntuales y lineales son muy importantes para el desarrollo de electrónica. En el presente artículo se realiza el resumen de los resultados científicos publicados en las revistas internacionales sobre las tensiones elásticas y sobre comportamiento de los defectos de la red cristalina durante procedimiento tecnológico de fabricación de las estructuras semiconductoras.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.identifierhttps://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065
dc.identifier10.14483/2322939X.4065
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11349/21301
dc.languagespa
dc.publisherUniversidad Distrital Francisco José de Caldases-ES
dc.relationhttps://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065/5732
dc.sourceRevista Vínculos; v. 1 n. 1 (2004); 45-54pt-BR
dc.sourceRevista vínculos; Vol. 1 Núm. 1 (2004); 45-54es-ES
dc.sourceRevista Vínculos; Vol 1 No 1 (2004); 45-54en-US
dc.source2322-939X
dc.source1794-211X
dc.subjectTensiones Elásticases-ES
dc.subjectDeformaciónes-ES
dc.subjectDefectoses-ES
dc.subjectDislocaciones.es-ES
dc.titleINFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINAes-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501

Archivos

Colecciones