Infante Luna, Esperanza del PilarAlbanesi, Eduardo AldoBuitrago Toro, Paula Fernanda2019-08-212019-08-212018-10-25http://hdl.handle.net/11349/16081El sulfuro de estaño (SnS) es un mineral abundante en la tierra el cual ha despertado gran interés en la actualidad por ser un calcogenuro semiconductor con band gap indirecto, que presenta alta conductividad y a su vez alto coeficiente de absorción. Estas características lo convierten en un material con una gran variedad de aplicaciones para la industria fotovoltaica. En el presente trabajo se desarrolla el análisis de la estructura de bandas y el cálculo de masas efectivas del SnS con simetría (Aem2) 39 para un sistema de 8 átomos. El cálculo se llevó a cabo desde primeros principios en el marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT), cuyo formalismo está implementado en el software Abinit, usando el método del proyector de ondas aumentadas (PAW), que además de generar buenas aproximaciones, es de bajo costo computacional, lo que permite estudiar sistemas conformados por gran cantidad de electrones. El análisis de masas efectivas se realizó mediante la teoría de perturbación del funcional de la densidad (DFPT) lo que permitió estudiar las bandas extremas junto con la movilidad de los portadores de manera más precisa. Posteriormente, se propuso el cálculo para dos sistemas: i) distorsión del parámetro de red del SnS a partir de datos experimentales conformado por 64 átomos y ii) sistema con una vacancia de estaño en la estructura del SnS; los cuales requieren un desdoblamiento de la estructura electrónica de bandas.Tin sulfide (SnS) is an abundant mineral on earth which has aroused great interest at present as it is a semiconductor chalcogenide with indirect band gap, which has high conductivity and high absorption coefficient. These characteristics make it a material with a wide variety of applications for the photovoltaic industry. In the present work the analysis of the band structure and the calculation of effective masses of the SnS with symmetry (Aem2) 39 for a system of 8 atoms is developed. The calculation was carried out from the first principles in the framework of the density functional theory (DFT), whose formalism is implemented in the Abinit software, using the augmented wave projector (PAW) method, which besides generating good approximations, it is of low computational cost, what allows to study systems conformed by great amount of electrons. Effective mass analysis was performed using the density functional perturbation theory (DFPT), which allowed to study the extreme bands together with the mobility of the carriers in a more precise way. Subsequently, the calculation was proposed for two systems: i) distortion of the SnS network parameter from experimental data made up of 64 atoms and ii) system with a tin vacancy in the structure of the SnS; which require an unfolding of the electronic band structure.pdfspaAtribución-NoComercial-SinDerivadas 4.0 Internacionalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/Sulfuro de estañoMasa efectivaEstructura de bandasMovilidad de portadoresSemiconductorDFTLicenciatura en Física - Tesis y disertaciones académicasEnergía fotovoltaicaTeoría del funcional de la densidadMasa efectivainfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessTin sulfideEffective massBand structureCarrier mobilitySemiconductorDFTPasantíaRestringido (Solo Referencia)