Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11349/20367
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dc.creatorMartínez Sarmiento, Fredy Hernán-
dc.date2004-07-01-
dc.date.accessioned2019-09-19T21:43:40Z-
dc.date.available2019-09-19T21:43:40Z-
dc.identifierhttps://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/6162-
dc.identifier10.14483/22487638.6162-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11349/20367-
dc.descriptionEste artículo describe en forma general las características técnicas más relevantes para seleccionar un transistor para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia en circuitos electrónicos de potencia. El análisis parte del hecho de la mayor densidad de corriente y, por tanto, del menor voltaje en conducción del IGBT frente al MOSFET; este último es el dispositivo más utilizado en los diseños de nuevos equipos de potencia en la actualidad. Esta diferencia fundamental afecta las pérdidas por conducción y por conmutación y, por eso se convierte en elemento clave en la selección de un transistor. El estudio se basa en el análisis de la información técnica suministrada por los fabricantes de MOSFET e IGBT de última generación, y de algunas pruebas de laboratorio desarrolladas por el grupo de investigación.es-ES
dc.formatapplication/binary-
dc.languagespa-
dc.publisherUniversidad Distrital Francisco José de Caldas. Colombiaes-ES
dc.relationhttps://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/6162/7686-
dc.sourceTecnura Journal; Vol 8 No 15 (2004): Julio - Diciembre 2004; 84-96en-US
dc.sourceTecnura; Vol. 8 Núm. 15 (2004): Julio - Diciembre 2004; 84-96es-ES
dc.source2248-7638-
dc.source0123-921X-
dc.titleEstudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutadoses-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
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